小型磁控溅射适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、扫描电镜制样电极材料制备等,也可用作教学及生产线前期工艺试验等,整套设备操作简便,占地小宽550*深900mm,适合及满足大专院校的教学与科研工作。详细的技术方案微信:19829651059
小型磁控溅射适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、扫描电镜制样电极材料制备等,也可用作教学及生产线前期工艺试验等,整套设备操作简便,占地小宽550*深900mm,适合及满足大专院校的教学与科研工作。详细的技术方案微信:19829651059
设备功能
设备使用角度可调节靶枪,靶枪高度、角度可以调节。通过调节靶枪高度和角度,可以优化溅射均匀性以及台阶覆盖率。
*采用共焦溅射结构,优点:
*小靶枪溅射大工件,2-3英寸靶枪溅射3-4英寸工件。
*共焦溅射特别适合镀制需要台阶覆盖的工件,通过调整角度可调靶枪的倾斜角度,可以调节台阶覆盖率。
*工艺气体从真空室抽气口前部通入靶面,抽气口位于真空室侧部,保证整个真空室内反应气体浓度稳定一致。
二.设备技术指标
1.极限真空:优于3E-5Pa(经烘烤除气后);
2.抽速测试:从大气抽到工作真空(5E-4Pa)时间少于30分钟;
3.系统漏率:≤2x10-7Pa.l/S(以氦质谱检漏仪测试指标考核);
4.系统保压:系统抽至高真空后停泵关机保压12小时后真空度小于10Pa;
5.溅射靶枪:可配备2支2英寸靶枪或2支3英寸靶枪;
6.基片加热:衬底最高加热温度500℃,室温至200度精度:±3°C,300度至500度精度:±1.5°C;样品台可加负偏压-800V;
7.溅射尺寸:衬底基片最大4英寸,兼容4英寸、2英寸、Φ45mm、Φ30mm,以及小尺寸方形片(对角线长度小于45mm)。基片旋转速度:5~25rpm连续可调;
8.成膜质量:托盘3英寸范围内均匀性优于±4%;
详细的技术方案,欢迎致电或者微信技术交流:19820651059;